Samsung анонсировала серийное производство модулей памяти DDR5 на 512 ГБ
Такой объём будет актуален для серверных систем.
Компания Samsung в рамках конференции Hot Chips 33 сообщила, что в конце этого года начнёт массовое производство модулей памяти стандарта DDR5 ёмкостью 512 ГБ.
Новые модули показывают на 40% более высокую производительность, увеличение скорости в среднем в 2,2 раза и снижение напряжения на 8%, если сравнивать с DDR4. Модуль DDR5 от Samsung обеспечивает пропускную способность 7,2 Гбит / с при напряжении 1,1 В.
Инженеры при создании планок используют метод компоновки кристаллов 8-Hi TSV. Кроме того, за счёт использования встроенной схемы управления питанием (PMIC) в новом стандарте памяти удалось повысить эффективность шины данных на 18%.
По прогнозам Samsung, массовый переход на DDR5 следует ожидать к 2023-2024 году. Стандарт будет поддерживаться процессорами Intel Core 12-го поколения (Alder Lake-S), которые будут представлены в конце этого года, а также чипами AMD на архитектуре Zen 4. Их выпуск состоится в 2022 году.
Ранее Samsung сообщила о начале разработки чипов памяти ёмкостью 24 ГБ. С ними объём одного модуля DDR5 сможет достигать рекордных 768 ГБ.