Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Автор Герман Лебедев 19:30 30.01.2019
- 0 +  3 023 0
Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способный работать с таким объёмом данных.

Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт — 11,5×13 мм. Также Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ/с, а последовательную запись — с 260 МБ/с. 

В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.

Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это произойдёт 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан-Франциско и Лондоне.

Подписывайтесь на Rozetked в Telegram, во «ВКонтакте» и обязательно в YouTube.
Хабы: samsung

22.06.2020
WWDC 2020
03.09.2020
IFA 2020
09.06.2020
E3 2020
12.07.2020
Ubisoft Forward
23.07.2020
SAN DIEGO COMIC-CON
25.08.2020
GAMESCOM 2020
01.10.2020
Игромир 2020
13.12.2020
THE GAME AWARDS
17.12.2020
Премьера «Аватар 2»
Все события


Реклама на сайте



Комментарии

22.06.2020
WWDC 2020
03.09.2020
IFA 2020
09.06.2020
E3 2020
12.07.2020
Ubisoft Forward
23.07.2020
SAN DIEGO COMIC-CON
25.08.2020
GAMESCOM 2020
01.10.2020
Игромир 2020
13.12.2020
THE GAME AWARDS
17.12.2020
Премьера «Аватар 2»
Все события


Реклама на сайте