Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Автор Герман Лебедев в 19:30 30.01.2019
- 0 +  2 879 0
Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способный работать с таким объёмом данных.

Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт — 11,5×13 мм. Также Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ/с, а последовательную запись — с 260 МБ/с. 

В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.

Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это произойдёт 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан-Франциско и Лондоне.

Подписывайтесь на Rozetked в Telegram, во «ВКонтакте» и обязательно в YouTube.
Хабы: samsung

20.11.2019
Презентация realme 5s
03.12.2019
Qualcomm Snapdragon Tech Summit 2019
07.01.2020
CES 2020
24.02.2020
MWC 2020
Нет событий
19.12.2019
Премьера «Звездные войны: Эпизод 9»
17.12.2020
Премьера «Аватар 2»
Все события




Комментарии

20.11.2019
Презентация realme 5s
03.12.2019
Qualcomm Snapdragon Tech Summit 2019
07.01.2020
CES 2020
24.02.2020
MWC 2020
Нет событий
19.12.2019
Премьера «Звездные войны: Эпизод 9»
17.12.2020
Премьера «Аватар 2»
Все события