Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Автор Герман Лебедев 19:30 30.01.2019
- 0 +  3 110 0
Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способный работать с таким объёмом данных.

Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт — 11,5×13 мм. Также Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ/с, а последовательную запись — с 260 МБ/с. 

В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.

Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это произойдёт 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан-Франциско и Лондоне.

Подписывайтесь на Rozetked в Telegram, во «ВКонтакте» и обязательно в YouTube.
Хабы: samsung

22.10.2020
Презентация Huawei Mate 40
27.10.2020
Презентация Amazfit
10.11.2020
Yet another Conference on Education
01.12.2020
Qualcomm Snapdragon Tech Summit 2020
28.06.2021
MWC 2021 Barcelona
Нет событий
05.11.2020
Премьера «Чёрная Вдова»
16.12.2021
Премьера «Аватар 2»
Все события


Реклама на сайте



Комментарии

22.10.2020
Презентация Huawei Mate 40
27.10.2020
Презентация Amazfit
10.11.2020
Yet another Conference on Education
01.12.2020
Qualcomm Snapdragon Tech Summit 2020
28.06.2021
MWC 2021 Barcelona
Нет событий
05.11.2020
Премьера «Чёрная Вдова»
16.12.2021
Премьера «Аватар 2»
Все события


Реклама на сайте