Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Автор Герман Лебедев 19:30 30.01.2019
- 0 +  2 802 0
Смартфоны Samsung получат модуль встроенной памяти на 1 ТБ

Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способный работать с таким объёмом данных.

Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт — 11,5×13 мм. Также Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ/с, а последовательную запись — с 260 МБ/с. 

В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.

Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это произойдёт 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан-Франциско и Лондоне.

Хабы: samsung

26.06.2019
MWC Shanghai 2019
06.09.2019
IFA 2019
02.08.2019
Evo 2019
21.08.2019
Gamescom 2019
03.10.2019
Игромир 2019
19.12.2019
Премьера «Звездные войны: Эпизод 9»
17.12.2020
Премьера «Аватар 2»
Все события

Комментарии

26.06.2019
MWC Shanghai 2019
06.09.2019
IFA 2019
02.08.2019
Evo 2019
21.08.2019
Gamescom 2019
03.10.2019
Игромир 2019
19.12.2019
Премьера «Звездные войны: Эпизод 9»
17.12.2020
Премьера «Аватар 2»
Все события