Samsung сообщила, что готова к выпуску устройств с 1 ТБ встроенной памяти. Южнокорейская компания анонсировала чип eUFS 2.1, способный работать с таким объёмом данных.

Система имеет те же размеры, что и модель eUFS 2.1 на 512 гигабайт — 11,5×13 мм. Также Samsung утверждает, что чип позволит осуществлять последовательное чтение с максимальной скоростью 1000 МБ/с, а последовательную запись — с 260 МБ/с. 

В начале 2019 года появились слухи, что новая флагманская серия производителя Galaxy S и первый складной смартфон Galaxy F могут получить 1 ТБ ПЗУ. Если в них будет встроен чип eUFS 2.1, то слухи подтвердятся.

Samsung уже рассказала, когда покажет свои новые устройства. Это произойдёт 20 февраля на мероприятии Galaxy Unpacked 2019 в Сан-Франциско и Лондоне.