Компания Samsung Electronics объявила о начале производства первой в отрасли памяти GDDR6, которая может работать на скорости 24 Гбит/с. 

Память построена на 10-нанометровом техпроцессе Samsung третьего поколения и будет в том числе использоваться в графических картах следующего поколения, включая Radeon RX 7000 и GeForce RTX 4000. 

Память использует изоляционный материал High-K Metal Gate, который минимизирует утечку тока. GDDR6 от Samsung обеспечивает скорость на 30% выше по сравнению с предыдущим 18-гигабитным решением. При интеграции в топовую графическую карту новая память может передавать до 1,1 ТБ данных в секунду. 

В новую линейку GDDR6 от Samsung также войдут варианты памяти с низким энергопотреблением. Используя технологию динамического переключения напряжения (DVS), которая регулирует рабочее напряжение в зависимости от требований к производительности, память 20 Гбит/с и 16 Гбит/с будет обладать примерно на 20% более высокой энергоэффективностью — напряжение составит 1,1 В по сравнению с отраслевым стандартом 1,35 В.