Южнокорейская компания Samsung Electronics сообщила о старте производства 3-нанометровых чипов с архитектурой GAA. 

Новые решения меньше по площади, производительнее и энергоэффективнее по сравнению с 5-нанометровыми, рассказали в компании.

Компания Samsung Electronics, мировой лидер в области полупроводниковых технологий, сегодня объявила о начале производства 3-нанометровых технологических узлов с применением архитектуры транзисторов Gate-All-Around (GAA), — сказано в сообщении Samsung.

В компании подчеркнули, что по сравнению с 5-нм техпроцессом, технология 3-нм первого поколения может снизить энергопотребление процессоров до 45%, повысить производительность на 23% и уменьшить площадь на 16%. В то время как 3-нм техпроцесс второго поколения должен снизить энергопотребление до 50%, повысить производительность на 30% и уменьшить площадь на 35%.

Тайваньская TSMC планирует начать производство 3-нанометровых процессоров во второй половине этого года.