Samsung объявила о разработке флэш-накопителей, поддерживающих спецификацию Universal Flash Storage (UFS) 4.0. В компании называют свои решения самыми производительными в отрасли.

UFS 4.0 предлагает скорость передачи на одну полосу до 23,2 Гбит/с — вдвое выше, чем у UFS 3.1. Такие возможности пригодятся для смартфонов 5G, технологий виртуальной и дополненной реальности, беспилотных автомобилях, считают в компании.

С усовершенствованной памятью Samsung V-NAND 7-го поколения и специальным контроллером скорость последовательного чтения достигает 4200 МБ/с, записи — до 2800 МБ/с. Улучшилась и энергоэффективность: процедуры с UFS 4.0 тратят на 46% меньше энергии, чем с UFS 3.1. Также новые решения компактны — на пластине 11×13×1 мм умещается до 1 ТБ.

Решения Samsung получили одобрение от отраслевого комитета Joint Electron Devices Engineering Council (JEDEC). Массовое производство накопителей начнётся в третьем квартале года.