TSMC представила технологию N4X для высокопроизводительных микросхем
Это улучшенная версия 5-нм техпроцесса: производительность выросла на 15%.
Тайваньская TSMC презентовала техпроцесс N4X, ориентированный на высокопроизводительные вычисления. Физически это те же 5 нм, но конструкция усовершенствована для повышенных частот.
N4X производительнее на 15%, чем N5, и на 4%, чем N4P при напряжении 1,2 В, но для дополнительной мощности N4X может достигать напряжения свыше 1,2 В. Для этого TSMC переработала FinFET-транзисторы, представила новые конденсаторы типа MiM (металл-изолятор-металл) и улучшила конструкцию слоя Back End of Line (BEOL).
TSMC планирует начать производство в первой половине 2023 года. Ожидается, что новая технология пригодится для серверов и центров обработки данных — спрос на эти сегменты заметно вырос с началом пандемии.