IBM и Samsung представили схему вертикального размещения транзисторов. C ней производительность вырастет вдвое
Или вырастет энергоэффективность — примерно на 85%.
IBM и Samsung объявили о разработке новой конструкции размещения транзисторов на кристалле. Схема VTFET подразумевает вертикальную структуру, тогда как в текущих решениях транзисторы лежат на подложке. Анонс случился на мероприятии IEEE International Electron Devices Meeting 2021.
Преимущества новой конструкции:
- позволит обойти существующие ограничения производительности;
- практически исключает коллапс тока в системе, а также повышает скорость переключения и термическую стойкость.
По оценкам производителей, чипы с новой архитектурой будут либо вдвое быстрее, либо на 85% энергоэффективнее, чем решения с транзисторами FinFET, которые используются в том числе в современных микросхемах производства TSMC.
Когда новый дизайн чипов будет реализован в коммерческом проекте, IBM и Samsung не уточнили.