Samsung анонсировала модули ОЗУ стандарта DDR5 на 512 ГБ c частотой 7,2 ГГц
Такое решение будет использоваться в дата-центрах и суперкомпьютерах.
Компания Samsung анонсировала модули оперативной памяти стандарта DDR5 объёмом 512 ГБ c частотой 7,2 ГГц, что примерно в два раза быстрее большинства модулей DDR4.
Память производится по технологическому процессу High-K Metal Gate (HKMG), такой же используется и для GDDR6. Для достижения объёма в 512 ГБ производитель использует по 20 8-слойных чипов с каждой стороны модуля. Это не новая технология — компания применяет её с 2014 года.
В Samsung отметили, что техпроцесс HKMG позволяет добиться на 13% большей энергоэффективности и более высоких частот — до 7,2 ГГц. При этом технология DDR5 позволяет создавать и более быстрые модули ОЗУ — с частотой до 8,4 ГГц.
Новая память корейской компании будет использоваться в разработке искусственного интеллекта, машинном обученим, дата-центрах для облачных вычислений, центрах управления «умными» городами и суперкомпьютерах.
Одними из первых поддержку такой ОЗУ получат процессоры Intel Xeon поколения Saphire Rapids. Что касается потребительского сегмента, там формат ОЗУ DDR5 начнёт появляться в конце этого или начале следующего года.
Ранее корейская компания SK Hynix представила первые коммерчески доступные модули оперативной памяти стандарта DDR5. Пока они будут использоваться только в центрах обработки данных.