Samsung успешно создала чип по 3-нм техпроцессу
В массовое производство его могут запустить уже в следующем году.
Samsung сообщила об успешном создании 256-Мбит массива памяти SRAM с использованием техпроцесса 3 нм. Массовое производство таких чипов было до сих пор невозможным, хотя первое описание появилось в 1988 году.
Компания задействовала новую технологию производства транзисторов MBCFET (Multi-Bridge Channel FET). Она основана на концепции производства GAAFET (Gate-All-Around FET).
Согласно данной технологии, канал полупроводника с четырёх сторон окружён затвором. Именно это позволяет существенно уменьшить размер, повысить производительность и снизить энергопотребление.
Новая технология позволит задавать не только ширину каналов-наностраниц, но и даже их число в составе каждого транзистора. Предполагается, что часть транзисторов может быть с широкими, а часть — с узкими наностраницами-каналами.
В Samsung выяснили, что управлять шириной наностраниц-каналов гораздо проще, чем добавлять новые рёбра в транзисторах FinFET. Всё это может поспособствовать более гибкой настройке мощности и энергопотребления для конкретных линеек чипов.
Измерения Samsung показывают, что переход на ячейку со смешанными транзисторами снижает напряжение записи на 256 мВ.
Если сравнивать 3-нм MBCFET с 7-нм 7LPP, производительность на такт выросла на 30%, энергопотребление снизилось на 50%, а плотность транзистора увеличилась на 45%.
Если у Samsung и дальше будут положительные результаты тестирования полупроводников, выполненных по 3-нм техпроцессу, то компания может запустить производство этих чипов уже в 2022 году.