Инсайдер: спецификации Qualcomm Snapdragon 875
Техпроцесс — 5 нм, но это уже не уникальная фишка.
Китайский инсайдер Digital Chat Station рассказал в Weibo об основных технических параметрах грядущей флагманской однокристальной платформы Qualcomm Snapdragon 875.
По его данным, процессор будет основан на 5-нм техпроцессе, что подтверждают более ранние утечки. Такую же плотность транзисторов можно встретить в Apple A14 и Kirin 9000.
Восемь ядер включают в себя:
- 1×, 2,84 ГГц
- 3×Cortex-A78, 2,42 ГГц
- 4×Cortex-A55, 1,8 ГГц
Самым производительным ядром, как сообщалось ранее, окажется Cortex-X1 с кастомной архитектурой от ARM. Подключения будет обрабатывать модем Snapdragon X60 5G, а графику — чип Adreno 660.
Несколько дней назад в AnTuTu Benchmark появилась запись о тестировании устройства с чипом Snapdragon 875. Он набрал рекордные 899 401 балл.
Ожидается, что официальная презентация Qualcomm Snapdragon 875 состоится на мероприятии Qualcomm Tech Summit, назначенном на 1 декабря.